凭借对汽车电子系统要求方面的深厚理解以及专业的技术能力，恩智浦能针对各种应用提供功率半导体解决方案。从驱动简单灯具到发动机、车身或底盘应用中的复杂功率控制需求，恩智浦功率半导体可针对众多汽车系统的功率问题提供解决方案
| 型号 | 产品描述 |
| 2N7002 | 60 V，300 mA N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BK | 60 V，350 mA N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BKM | 60 V，450 mA N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BKMB | 60 V，单N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BKS | 60 V，300 mA双N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BKT | 60 V，290 mA N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BKV | 60 V，340 mA双N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002BKW | 60 V，310 mA N沟道Trench MOSFET |
| 2N7002CK | 60 V，0.3 A N沟道Trench MOSFET |
| BSH103 | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| BSH105 | N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSH108 | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| BSH111 | N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| BSH114 | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| BSH121 | N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| BSH201 | P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSH202 | P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSH203 | P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSH205 | P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSN20 | N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| BSP030 | N沟道TrenchMOS中间电平FET |
| BSP100 | N沟道TrenchMOS中间电平FET |
| BSP110 | N沟道TrenchMOS中间电平FET |
| BSP122 | N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSP126 | N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSP130 | N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSP220 | P沟道垂直D-MOS中间电平FET |
| BSP225 | P沟道垂直D-MOS中间电平FET |
| BSP230 | P沟道垂直D-MOS中间电平FET |
| BSP250 | P沟道垂直D-MOS中间电平FET |
| BSP89 | N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| BSS123 | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| BSS138AKA | 60 V，单N沟道Trench MOSFET |
| BSS138BK | 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET |
| BSS138BKS | 60 V，320 mA双N沟道Trench MOSFET |
| BSS138BKW | 60 V，320 mA N沟道Trench MOSFET |
| BSS138P | 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET |
| BSS138PS | 60 V，320 mA双N沟道Trench MOSFET |
| BSS138PW | 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET |
| BSS192 | P沟道垂直D-MOS中间电平FET |
| BSS84AK | 50 V，180 mA P沟道Trench MOSFET |
| BSS84AKM | 50 V，230 mA P沟道Trench MOSFET |
| BSS84AKMB | 50 V，单P沟道Trench MOSFET |
| BSS84AKS | 50 V，160 mA双P沟道Trench MOSFET |
| BSS84AKV | 50 V，170 mA双P沟道Trench MOSFET |
| BSS84AKW | 50 V，150 mA P沟道Trench MOSFET |
| BSS87 | N沟道垂直D-MOS中间电平FET |
| BST82 | N沟道TrenchMOS中间电平FET |
| Low RDSon MOSFETs in ultra-small DFN1010 single and dual package | 12 V - 80 V，P和N沟道Trench MOSFET，采用单、双和互补配置 |
| PMCXB900UE | 20 V，互补N/P沟道Trench MOSFET |
| PMDXB600UNE | 20 V，双N沟道Trench MOSFET |
| PMDXB950UPE | 20 V，双P沟道Trench MOSFET |
| PMXB120EPE | 30 V，P沟道Trench MOSFET |
| PMXB350UPE | 20 V，P沟道Trench MOSFET |
| PMXB360ENEA | 80 V，N沟道Trench MOSFET |
| PMXB40UNE | 12 V，N沟道Trench MOSFET |
| PMXB43UNE | 20 V，N沟道Trench MOSFET |
| PMXB56EN | 30 V，N沟道Trench MOSFET |
| PMXB65ENE | 30 V，N沟道Trench MOSFET |
| PMXB65UPE | 12 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMXB75UPE | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
| NX1029X | 60 / 50 V，330 / 170 mA N/P沟道Trench MOSFET |
| NX2020N2 | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| NX2020P1 | 30 V, single P-channel Trench MOSFET |
| NX2301P | 20 V，2 A P沟道Trench MOSFET |
| NX3008CBKS | 30 / 30 V，350 / 200 mA N/P沟道Trench MOSFET |
| NX3008CBKV | 30 / 30 V，400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET |
| NX3008NBK | 30 V，400 mA N沟道Trench MOSFET |
| NX3008NBKMB | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| NX3008NBKS | 30 V，350 mA双N沟道Trench MOSFET |
| NX3008NBKV | 30 V，400 mA双N沟道Trench MOSFET |
| NX3008NBKW | 30 V，350 mA N沟道Trench MOSFET |
| NX3008PBK | 30 V，230 mA P沟道Trench MOSFET |
| NX3008PBKMB | 30 V，单P沟道Trench MOSFET |
| NX3008PBKS | 30 V，200 mA双P沟道Trench MOSFET |
| NX3008PBKV | 30 V，220 mA双P沟道Trench MOSFET |
| NX3008PBKW | 30 V，200 mA P沟道Trench MOSFET |
| NX3020NAK | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| NX3020NAKS | 30 V，180 mA双N沟道Trench MOSFET |
| NX3020NAKT | 30 V，180 mA N沟道Trench MOSFET |
| NX3020NAKV | 30 V，200 mA双N沟道Trench MOSFET |
| NX3020NAKW | 30 V，180 mA N沟道Trench MOSFET |
| NX7002AK | 60 V，单N沟道Trench MOSFET |
| NX7002AKS | 60 V，双N沟道Trench MOSFET |
| NX7002AKW | 60 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PH20100S | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PH2520U | N沟道TrenchMOS超低电平FET |
| PH2925U | N沟道TrenchMOS超低电平FET |
| PH3120L | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PH4840S | N沟道TrenchMOS中间电平FET |
| PH955L | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHB110NQ08T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB18NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB191NQ06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHB20N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB20NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB21N06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHB27NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB29N08T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB32N06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHB33NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB45NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB45NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB47NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHB66NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHC21025 | 互补中间电平FET |
| PHC2300 | 互补增强型MOS晶体管 |
| PHD101NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHD20N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHD38N02LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHD71NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHD97NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHD9NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHK04P02T | P沟道垂直D-MOS逻辑电平FET |
| PHK12NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHK13N03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHK18NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHK31NQ03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHK5NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHKD13N03LT | 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHKD3NQ10T | 双N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHKD6N02LT | 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHN203 | 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHN210T | 双N沟道TrenchMOS中间电平FET |
| PHP18NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP18NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP191NQ06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHP20N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP20NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP225 | 双P沟道中间电平FET |
| PHP23NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP27NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP28NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP29N08T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP30NQ15T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP33NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP36N03LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHP45NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP45NQ11T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHP79NQ08LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHP9NQ20T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHT4NQ10LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHT4NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHT6N06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PHT6N06T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHT6NQ10T | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PHT8N06LT | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PMC85XP | 30 V P沟道MOSFET，具有预偏置NPN晶体管 |
| PMCPB5530X | 20 V，互补Trench MOSFET |
| PMDPB30XN | 20 V，双N沟道Trench MOSFET |
| PMDPB55XP | 20 V，双P沟道Trench MOSFET |
| PMDPB58UPE | 20 V双P沟道Trench MOSFET |
| PMDPB70XP | 30 V，双P沟道Trench MOSFET |
| PMDPB70XPE | 20 V双P沟道Trench MOSFET |
| PMDPB80XP | 20 V，双P沟道Trench MOSFET |
| PMDPB85UPE | 20 V双P沟道Trench MOSFET |
| PMDT290UCE | 20 / 20 V，800 / 550 mA N/P沟道Trench MOSFET |
| PMDT290UNE | 20 V，800 mA双N沟道Trench MOSFET |
| PMDT670UPE | 20 V，550 mA双P沟道Trench MOSFET |
| PMF170XP | 20 V，1 A P沟道Trench MOSFET |
| PMF280UN | N沟道TrenchMOS超低电平FET |
| PMF370XN | N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PMFPB8032XP | 20 V，3.7 A / 320 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列 |
| PMFPB8040XP | 20 V，3.7 A / 440 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列 |
| PMG85XP | 20 V，2 A P沟道Trench MOSFET |
| PMGD280UN | 双N沟道TrenchMOS超低电平FET |
| PMGD290UCEA | 20 / 20 V，725 / 500 mA N/P沟道Trench MOSFET |
| PMGD290XN | 双N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PMGD370XN | 双N沟道TrechMOS极低电平FET |
| PMGD780SN | 双N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMK30EP | P沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PMK35EP | P沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PMK50XP | P沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PML260SN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PML340SN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMN27UP | 20 V，5.7 A P沟道Trench MOSFET |
| PMN27XPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMN28UN | N沟道TrenchMOS超低电平FET |
| PMN34UP | 20 V，5 A P沟道Trench MOSFET |
| PMN40UPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMN42XPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMN48XP | 20 V，4.1 A P沟道Trench MOSFET |
| PMN50UPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMN70XPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMN80XP | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB10XNE | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMPB11EN | 30 V N沟道Trench MOSFET |
| PMPB13XNE | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMPB15XN | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMPB15XP | 12 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB19XP | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB20EN | 30 V N沟道Trench MOSFET |
| PMPB20XPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB215ENEA | 80 V, single N-channel Trench MOSFET |
| PMPB23XNE | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMPB27EP | 30 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB29XNE | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMPB29XPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB33XN | 30 V 单N沟道Trench MOSFET |
| PMPB33XP | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB40SNA | 60 V N沟道Trench MOSFET |
| PMPB43XPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB47XP | 30 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB48EP | 30 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMPB85ENEA | 60 V, single N-channel Trench MOSFET |
| PMPB95ENEA | 80 V, single N-channel Trench MOSFET |
| PMR290UNE | 20 V，700 mA N沟道Trench MOSFET |
| PMR670UPE | 20 V，480 mA P沟道Trench MOSFET |
| PMV130ENEA | 40 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMV160UP | 20 V，1.2 A P沟道Trench MOSFET |
| PMV20EN | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMV213SN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMV250EPEA | 40 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMV27UPE | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMV30UN2 | 20 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMV31XN | N沟道TrenchMOS FET |
| PMV32UP | 20 V，4 A P沟道Trench MOSFET |
| PMV33UPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMV37EN2 | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMV40UN2 | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMV45EN2 | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMV48XP | 20 V，3.5 A P沟道Trench MOSFET |
| PMV50UPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMV65XP | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMV65XPE | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMV75UP | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMZ1000UN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMZ250UN | N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PMZ270XN | N沟道TrenchMOS极低电平FET |
| PMZ290UN | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZ290UNE | 20 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMZ350UPE | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMZ350XN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMZ370UNE | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMZ390UN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMZ600UNE | 20 V, N-channel Trench MOSFET |
| PMZ760SN | N沟道TrenchMOS标准电平FET |
| PMZ950UPE | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
| PMZB290UN | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZB290UNE | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZB300XN | 20 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZB350UPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMZB370UNE | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZB380XN | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZB420UN | 30 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PMZB670UPE | 20 V，单P沟道Trench MOSFET |
| PMZB790SN | 60 V，单N沟道Trench MOSFET |
| PSMN004-60B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN005-30K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET |
| PSMN005-75B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN005-75P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN006-20K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX超低电平FET |
| PSMN008-75B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN009-100B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN009-100P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN011-60ML | N沟道60 V 11.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装 |
| PSMN011-60MS | N沟道60 V 11.3 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装 |
| PSMN011-80YS | N沟道LFPAK 80 V 11 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN012-100YS | N沟道100 V 12mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN012-60YS | N沟道LFPAK 60 V，11.1 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN012-80BS | N沟道80 V 11 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN012-80PS | N沟道80 V 11 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN013-100BS | N沟道100 V 13.9mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN013-100ES | N沟道100 V 13.9mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。 |
| PSMN013-100PS | N沟道100 V 13.9mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装。 |
| PSMN013-100XS | N沟道100 V 13 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN013-100YSE | N沟道100 V 13 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装 |
| PSMN013-30MLC | N沟道30 V 13.6 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN013-30YLC | N沟道30 V 13.6 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN013-80YS | N沟道LFPAK 80 V 12.9 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN014-40YS | N沟道LFPAK 40 V，14 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN015-100B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN015-100P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN015-110P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN015-60BS | N沟道60 V 14.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN015-60PS | N沟道60 V 14.8 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN016-100BS | N沟道100 V 16 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN016-100PS | N沟道100 V 16 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN016-100XS | N沟道100 V 16 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN016-100YS | N沟道100 V 16.3 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN017-30BL | N沟道30 V 17 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN017-30EL | N沟道30 V 17 mΩ逻辑电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN017-30PL | N沟道30 V 17 mΩ逻辑电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN017-60YS | N沟道LFPAK 60 V 15.7 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN017-80BS | N沟道80 V 17 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN017-80PS | N沟道80 V 17 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN018-80YS | N沟道LFPAK 80 V 18 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN020-100YS | N沟道100 V 20.5mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN020-30MLC | N沟道30 V 18.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用TrenchMOS技术 |
| PSMN022-30BL | N沟道30 V 22.6 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN022-30PL | N沟道30 V 22 mΩ逻辑电平MOSFET |
| PSMN025-100D | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN026-80YS | N沟道LFPAK 80 V 27.5 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN027-100BS | N沟道100 V 26.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。 |
| PSMN027-100PS | N沟道100 V 26.8 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装。 |
| PSMN027-100XS | N沟道100 V 26.8 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN028-100YS | N沟道LFPAK 100 V 27.5 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN030-150B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN030-150P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN030-60YS | N沟道LFPAK 60 V 24.7 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN034-100BS | N沟道100 V 34.5 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。 |
| PSMN034-100PS | N沟道100 V 34.5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装。 |
| PSMN035-150B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN035-150P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN038-100K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN038-100YL | N沟道100 V 37.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装 |
| PSMN039-100YS | N沟道LFPAK 100 V 39.5 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN040-100MSE | N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为高功率PoE应用而设计 |
| PSMN041-80YL | N沟道80 V 41 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装 |
| PSMN045-80YS | N沟道LFPAK 80 V 45 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN050-80BS | N沟道80 V 46 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN057-200B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN057-200P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN059-150Y | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN063-150D | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN069-100YS | N沟道LFPAK 100 V 72.4 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN070-200B | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN070-200P | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN075-100MSE | N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计 |
| PSMN085-150K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN0R9-25YLC | N沟道25 V 0.99 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN0R9-30YLD | N沟道30 V，0.87 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN102-200Y | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN130-200D | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN165-200K | N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET |
| PSMN1R0-30YLC | N沟道30 V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R0-30YLD | N沟道30 V，1.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN1R0-40YLD | N沟道40 V 1.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPower-PLUS技术 |
| PSMN1R1-25YLC | N沟道25 V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R1-30EL | N沟道30 V 1.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN1R1-30PL | N沟道30 V 1.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN1R1-40BS | N沟道40 V 1.3 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN1R2-25YL | N沟道25 V 1.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN1R2-25YLC | N沟道25 V 1.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R2-30YLC | N沟道30 V 1.25mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R2-30YLD | N沟道30 V，1.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN1R3-30YL | N沟道30 V 1.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN1R4-30YLD | N沟道30 V，1.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN1R4-40YLD | N-channel 40 V 1.4 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 technology |
| PSMN1R5-25YL | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| PSMN1R5-30BLE | N沟道30 V 1.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN1R5-30YL | N沟道30 V 1.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN1R5-30YLC | N沟道30 V 1.55mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R5-40ES | N沟道40 V 1.6 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。 |
| PSMN1R5-40PS | N沟道40 V 1.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN1R6-30BL | N沟道30 V 1.9 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN1R6-30PL | N沟道30 V 1.7 mΩ逻辑电平MOSFET |
| PSMN1R6-40YLC | N沟道40 V 1.55 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R7-30YL | N沟道30 V 1.7 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN1R7-60BS | N沟道60 V 2 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN1R8-30BL | N沟道30 V，1.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN1R8-30PL | N沟道30 V，1.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN1R8-40YLC | N沟道40 V 1.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN1R9-40PL | N沟道40 V，1.7 mΩ逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN2R0-30BL | N沟道30 V 2.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN2R0-30PL | N沟道30 V 2.1 mΩ逻辑电平MOSFET |
| PSMN2R0-30YL | N沟道30 V 2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN2R0-30YLE | N沟道30 V 2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN2R0-60ES | N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN2R0-60PS | N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN2R1-40PL | N沟道40 V，2.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN2R2-25YLC | N沟道25 V 2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN2R2-30YLC | N沟道30 V 2.15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN2R2-40BS | N沟道40 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN2R2-40PS | N沟道40 V 2.1 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN2R4-30MLD | N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN2R4-30YLD | N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN2R5-30YL | N沟道30 V 2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN2R5-60PL | N沟道60 V，2.6 mΩ逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN2R6-30YLC | N沟道30 V 2.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN2R6-40YS | N沟道LFPAK 40 V 2.8 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN2R6-60PS | N沟道60 V，2.6 mΩ标准电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN2R7-30BL | N沟道30 V 3.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN2R7-30PL | N沟道30 V 2.7 mΩ逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN2R8-25MLC | N沟道25 V 2.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN2R8-40BS | N沟道40 V 2.9 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN2R8-40PS | N沟道TO220 40 V 2.8 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN2R8-80BS | N沟道80 V，3 mΩ标准电平FET，采用D2PAK封装 |
| PSMN2R9-25YLC | N沟道25 V 3.15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN2R9-30MLC | N沟道30 V 2.95 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN3R0-100BSF | |
| PSMN3R0-30MLC | N沟道30 V 3.15mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN3R0-30YL | N沟道30 V 3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN3R0-30YLD | N沟道30 V，3.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN3R0-60BS | N沟道60 V 3.2 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN3R0-60ES | N沟道60 V 3.0 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。 |
| PSMN3R0-60PS | N沟道60 V 3.0 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN3R3-100ESF | |
| PSMN3R3-100PSF | N-channel 100 V 3.3 mΩ standard level MOSFET in TO-220 using NextPower technology |
| PSMN3R3-40YS | N沟道LFPAK 40 V 3.3 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN3R3-60PL | N沟道60 V，3.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN3R3-80BS | N沟道80 V，3.5 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN3R3-80ES | N沟道80 V，3.3 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN3R3-80PS | N沟道80 V，3.3 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN3R4-30BL | N沟道30 V 3.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN3R4-30BLE | N沟道30 V 3.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN3R4-30PL | N沟道30 V 3.4 mΩ逻辑电平MOSFET |
| PSMN3R5-30YL | N沟道30 V 3.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN3R5-80ES | N沟道80 V，3.5 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN3R5-80PS | N沟道80 V，3.5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN3R8-100BS | N沟道100 V 3.9 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN3R9-25MLC | N沟道25 V 4.15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN3R9-60PS | N沟道60 V，3.9 mΩ标准电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN3R9-60XS | N沟道60 V，4.0 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN4R0-25YLC | N沟道25 V 4.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN4R0-30YL | N沟道30 V 4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN4R0-30YLD | N沟道30 V，4.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN4R0-40YS | N沟道LFPAK 40 V 4.2 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN4R1-30YLC | N沟道30 V 4.35mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN4R2-30MLD | N沟道30 V，4.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN4R2-60PL | N沟道60 V，3.9 mΩ逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装 |
| PSMN4R3-100ES | N沟道100 V 4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN4R3-100PS | N沟道100 V 4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN4R3-30BL | N沟道30 V 4.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN4R3-30PL | N沟道30 V 4.3 mΩ逻辑电平MOSFET |
| PSMN4R3-80ES | N沟道80 V，4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN4R3-80PS | N沟道80 V，4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN4R4-30MLC | N沟道30 V 4.65 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN4R4-80BS | N沟道80 V，4.5 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN4R4-80PS | N沟道80 V，4.1 mΩ标准电平FET |
| PSMN4R5-40BS | N沟道40 V 4.5 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN4R5-40PS | N沟道40 V 4.6 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN4R6-100XS | N沟道100 V 4.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN4R6-60BS | N沟道60 V，4.4 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN4R6-60PS | N沟道60 V，4.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN4R8-100BSE | N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN4R8-100PSE | N-channel 100 V 5 mΩ standard level MOSFET with improved SOA in TO220 package |
| PSMN5R0-100ES | N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN5R0-100PS | N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN5R0-100XS | N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN5R0-30YL | N沟道30 V 5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN5R0-80BS | N沟道80 V，5.1 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN5R0-80PS | N沟道80 V，4.7 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN5R5-60YS | N沟道LFPAK 60 V，5.2 mΩ标准电平FET |
| PSMN5R6-100BS | N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN5R6-100PS | N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN5R6-100XS | N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN5R8-40YS | N沟道LFPAK 40 V 5.7 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN6R0-25YLB | N沟道25 V 6.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN6R0-30YL | N沟道30 V 6 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN6R0-30YLB | N沟道30 V 6.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN6R0-30YLD | N沟道30 V，6.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN6R1-30YLD | N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology |
| PSMN6R3-120ES | N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN6R3-120PS | N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN6R5-25YLC | N沟道25 V 6.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN6R5-80BS | N沟道80V 6.9mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN6R5-80PS | N沟道80V 6.9mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN7R0-100BS | N沟道100 V 6.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。 |
| PSMN7R0-100ES | N沟道100 V 6.8 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。 |
| PSMN7R0-100PS | N沟道100 V 6.8 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装。 |
| PSMN7R0-100XS | N沟道100 V 6.8 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN7R0-30MLC | N沟道30 V 7 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN7R0-30YL | N沟道30 V 7 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 |
| PSMN7R0-30YLC | N沟道30 V 7.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN7R0-60YS | N沟道LFPAK 60 V 6.4 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN7R5-30MLD | N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN7R5-30YLD | N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 |
| PSMN7R6-100BSE | N沟道100 V 7.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN7R6-60BS | N沟道60 V 7.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN7R6-60PS | N沟道60 V 7.8 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN7R8-100PSE | |
| PSMN7R8-120ES | N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN7R8-120PS | N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN8R0-40BS | N沟道40 V 7.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN8R0-40PS | N沟道40 V 7.6 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN8R2-80YS | N沟道LFPAK 80 V 8.5 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN8R3-40YS | N沟道LFPAK 40 V 8.6 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN8R5-100ES | N沟道100 V 8.5 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装 |
| PSMN8R5-100PS | N沟道100 V 8.5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装 |
| PSMN8R5-100XS | N沟道100 V 8.5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN8R5-108ES | N-channel 108 V 8.5 mΩ standard level MOSFET in I2PAK |
| PSMN8R5-60YS | N沟道LFPAK 60 V，8 mΩ标准电平MOSFET |
| PSMN8R7-80BS | N沟道80 V 8.7 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN8R7-80PS | N沟道80 V 8.7 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装 |
| PSMN9R0-25MLC | N沟道25 V 8.65 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN9R1-30YL | N沟道9.1 mΩ 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装 |
| PSMN9R5-100BS | N沟道100 V 9.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| PSMN9R5-100PS | N沟道100 V 9.6 mΩ标准电平MOSFET，采用T0220封装 |
| PSMN9R5-100XS | N沟道100 V 9.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220F (SOT186A)封装 |
| PSMN9R5-30YLC | N沟道30 V 9.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMN9R8-30MLC | N沟道30 V 9.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 |
| PSMNR90-30BL | N沟道30 V 1.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装 |
| SI2302DS | N沟道TrenchMOS逻辑电平FET |
| SI2304DS | N沟道TrenchMOS中间电平FET |
